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  처음에 트랜지스터의 원리에 대해 간단하게 이해하려고 반도체에 대해 공부하다가 에너지 밴드라는 것을 알게 되었다. 정말 끝이 없다. 언제쯤 이것들을 정리할 수 있을까...


  Energy band(에너지 띠), 처음에 들었을 때는 이건 또 뭔가... 싶었지만 알고보니 중학교 때 들어봤던 것 같다. 그 때의 기억을 회상하며 다시 해보자.



에너지 준위


  원자 및 분자가 갖는 에너지의 값이다. 전자를 끌어당기는 원자핵에서 가까울수록 낮고 멀어질수록 높다. 에너지 준위가 높은 전자는 자유전자가 되기 쉽다. 그래서 최외각에 위치하는 전자는 원자간의 결합에 영향을 미치게 되는데 '원자가 전자'라고도 부른다.


  전자는 진동, 열, 빛이나 전자파의 조사, 다른 입자와의 충돌 등 에너지의 흡수 등으로 인해 에너지를 받게되면 에너지 준위가 더 높은 전자껍질로 이동하게 되는데, 이런 상태의 전자를 '들뜬 상태' 또는 '여기 상태'라고 한다. 반대로 가장 안정된 낮은 에너지 준위 상태를 '바닥 상태' 또는 '기저 상태'라고 한다.


  높은 에너지 준위로 들뜬 상태에 있던 전자는 불안정하여 안정된 상태의 낮은 에너지 준위로 돌아가려고 한다. 이 때 전자가 낮은 상태의 에너지 준위로 떨어지면서 빛이나 전자기파, 방사선 등의 에너지를 방출하게 된다.



에너지 띠(energy band)


결정 속에는 이온 껍질에 의한 주기적인 전기장이 존재하며, 이에 따라 결정 속에 전자가 가질 수 있는 에너지가 제한된다. 결정 속 전자가 존재할 수 있는 에너지 영역을 에너지 띠라고 부른다.


솔직히 나도 이게 뭔 소리인지는 잘 모르겠다. 어쨌든 에너지 준위에는 아래 그림과 같이 전자가 있을 수 있는 허용된 띠와 전자가 있을 수 없는 띠틈이 있다.




개인적으로 이 블로그에서 설명하는게 가장 잘 이해된다.



원자가띠와 전도띠


원자 내부의 전자들은 허용된 띠의 가장 낮은 에너띠부터 채워나가는데, 전자가 존재하는 가장 높은 에너지띠를 원자가띠라고 한다. 원자가띠에는 전자가 채워져있는데, 이 전자가 열에너지나 전기장으로부터 에너지를 흡수하여 더 높은 에너지띠로 전이하면 고체 내부에서 자유롭게 이동할 수 있다.


고체 내부에서 자유롭게 이동하는 전자를 자유전자라고 하며, 자유전자가 이동하여 전류가 흐르게 된다. 그래서 원자가띠 위에 있는 에너지띠를 전도띠라고 한다. 반도체와 부도체에서는 원자가띠 위에 띠틈이 있고, 그 위에 전도띠가 있다. 전도띠에는 전자가 차 있지 않아서 전도띠로 전이된 전자는 아주 작은 에너지를 주어도 자유전자가 된다. 전자가 원자가띠에서 전도띠로 전이하면 원자가띠에 전자가 비어 있는 (+) 성질을 띠는 부분이 생기게 되는데 이를 양공(holes) 또는 정공이라고 부른다.



마치며


솔직히 너무 깊게 파고든 것 같다. 지금 내게 중요한 것이 무엇인지 다시 한 번 생각해보자.



참고


에너지 준위 - 위키백과, 우리 모두의 백과사전


에너지 밴드


[반도체 이야기] 5. 에너지 띠(energy band)


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P형 반도체


전하를 옮기는 캐리어로 정공(Hole)이 사용되는 반도체이다. 양의 전하를 가지는 정공이 캐리어로서 이동해서 전류가 생긴다. 즉, 정공이 다수 캐리어가 되는 반도체이다.



N형 반도체


전하를 옮기는 캐리어로 자유전자가 사용되는 반도체이다. 음의 전하를 가지는 자유전자가 캐리어로서 이동해서 전류가 생긴다. 즉, 다수 캐리어가 전자가 되는 반도체이다.



다수 캐리어


다수반송자, 다수운반체라고도 부른다. n형과 p형 반도체 속에 있는 캐리어(전자 혹은 정공) 중에서 여러 개가 존재하는 캐리어를 말하며, 다수반송자 또는 다수운반체라고도 한다. 반도체의 전기저항은 이 다수캐리어에 의하여 결정된다. 



참고


P형 반도체 - 위키백과, 우리 모두의 백과사전


N형 반도체 - 위키백과, 우리 모두의 백과사전


다수캐리어 - doopedia

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다이오드

임베디드/개념 2018. 1. 4. 12:17

다이오드란 한쪽 방향으로 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자를 말한다. 


대부분의 반도체 다이오드는 p-n 접합으로 두개의 전극을 갖는 반도체 결정체(crystalline)이다. PN 다이오드에서 전류는 P형 반도체 면에서 N형 반도체 면으로만 흐를 수 있다.


다이오드의 종류로는 한쪽 방향으로만 전류를 흐르게 하는 정류 다이오드, 일정 신호에서 필요한 신호만 거를 때 사용하는 검파 다이오드, 빛을 낼 수 있는 발광 다이오드 등 여러 종류가 있다.



참고


다이오드 - 위키백과, 우리 모두의 백과사전

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단자 : 전기적으로 신호를 전달하는 회로의 끝 부분



소자


구조, 제조방식, 역할, 단자 수 등에 따라 분류할 수 있다.


구조 : 점접촉형, 결정성장형, 합금접합형, 메사형, 평면형 등


제조방식 : 확산접합형, 에피택셜형, 인슐레이터 위의 실리콘 등


역할 : 능동소자, 수동소자


단자 수 : 2단자 소자, 3단자 소자, 다단자 소자



대표적인 고체소자로는 TR, FET, SCR, 다이오드, LED 등이 있다.


반도체 소자는 개별부품이나 다수의 소자를 하나의 기판에 집적하는 집적회로 등에 사용될 수 있다.



참고


단자 - 위키백과, 우리 모두의 백과사전


반도체소자 (semiconductor device, 半導體素子)

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JTAG

임베디드/개념 2018. 1. 2. 18:07

JTAG(Joint Test Action Group)이란 임베디드 시스템 개발 시에 사용되는 디버깅 장비이다. 보통 '제이택'이라고 발음하더라.


다층기판 보드가 등장하면서 기존의 보드 테스트 방식은 안정성과 비용에 문제를 일으키게 되었고, 이러한 문제점을 해결하기 위해 80년대 중반에 joint European Test Access Group이란 단체가 결성되어 a serial shift register around the boundary of the device라는 개념을 발전시켜 탄생하게 되었다. 일반적으로 JTAG이란 말보다는 Boundary-Scan이란 말을 더 많이 사용한다.


JTAG의 작동 방식은 칩 내부에 Boundary Cell을 만들어 이것이 외부의 핀과 일대 일로 연결되어, 프로세서가 할 수 있는 동작을 중간의 Cell을 통해 인위적으로 수행할 수 있도록 하는 것이다. 이런 방식으로 JTAG은 다양한 하드웨어의 테스트나 연결 상태등을 체크할 수 있다.


라고 위키피디아에 나와있었는데, 직접 본 적도 없어서 잘 모르겠다. 그냥 디버깅 장치라는 것만 알고 나중에 직접 사용하게 되면 다시 알아봐야겠다.


============================================================================


이 글을 쓴지 하루만에 JTAG를 볼 수 있게 되었다. 컴퓨터와 연결하기 위해서 USB B type을 사용한다. JTAG의 화살표가 있는 부분과 보드에서 네모 모양의 납 부분이 1번 핀이므로 이거에 맞게 연결하면 된다.


지금 회사에서 Microchip의 PIC라는 칩을 만지고 있는데, 같은 회사에서 만든 디버깅 도구인 PICkit3가 아래 사진에 있는 것이다. 이것을 통하여 칩에 read/write, 디버깅 등을 할 수 있다. 또한 보드에 전원도 공급할 수 있는데, 대신 target이 소비하는 전류가 30mA 이하이어야 한다. 자세한 내용은 공식 문서 참조

 




참고


https://ko.wikipedia.org/wiki/JTAG

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원래는 몇 개월 전에 정리가 끝났어야 하는 것들인데, 내가 게을러서 이제서야 다시 시작한다. 마음 잡고 잘 해보자.


중요한건 어느 정도 깊이까지 공부를 하느냐가 문제인데... 우선 목표는 다른 사람이 이해할 수 있도록 설명해주는 수준으로 아는 것이다. 솔직히 원리까지 알자면 시간도 오래 걸리고 금방 질릴 것 같다. 지금 당장은 개념과 특징 정도만 알아두어도 괜찮을 것 같다.



마지막 업데이트

오전 10:33
수요일, 2018년 1월 31일 (GMT+9)


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PWM이란

임베디드/개념 2017. 11. 24. 00:34

PWM(Pulse Width Modulation)


펄스의 폭을 컨트롤하기 위한 제어방법이다. 


펄스의 폭을 조절하여 전력의 크기를 조절할 수 있다.


이전에 포스팅했던 스위칭 레귤레이터에서 전압을 변환하는 원리를 생각하면 된다.


펄스 주기에서 On 되어있는 비율을 duty라고 하며, duty 값이 낮을수록 출력 전압은 낮아진다.


이를 이용해 디지털 전압으로 아날로그 전압을 공급할 수 있다.

(아두이노에서는 analogWrite라는 함수를 이용하여 아날로그 전압을 출력할 수 있는데, 이 때 pwm이 사용된다.)



참고


기본기::PWM


PWM(Pulse Width Modulation) 펄스 폭 제어 란 무엇인가


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전압을 변환해주는 전자부품이다.


보통 스위칭 레귤러레이터(DC/DC switching reg)와 리니어 레귤러레이터(LDO)로 구분된다.



스위칭 레귤러레이터


전기가 들어오면(Vin) 원하는 출력 전압(Vout)이 될 때까지 스위치를 매우 빠르게 On/Off 한다.


스위칭 동작


스위치를 ON/OFF하는 주기에 따라 전압의 평균이 달라지게 된다.


이를 이용하여 원하는 전압으로 변화하여 출력할 수 있다.


이 과정에서 노이즈가 발생하게 되는데, 이는 코일에서 줄여준다.


참고로 스위칭 레귤러레이터는 스위칭 소자뿐만이 아니라 주위의 코일, 콘덴서 등을 포함한다.


(콘덴서는 고주파만 통과시키지만, 코일은 저주파만 통과시킬 수 있다.)


그리고 DC/DC switching reg에는 FB(feedback)이 있기도 한다.


코일을 거쳐 노이즈를 줄인 전력을 다시 reg로 가져와 정해진 출력전압이 맞는지 확인한다.


아니라면 내부적으로 올바른 출력 전압이 되도록 조정한다. 이 과정을 피드백이라고 한다.



리니어 레귤러에이터


입력과 출력이 선형적이다.


노이즈가 거의 없다.


전압을 변환하면서 열이 발생한다. (에너지 보존 법칙)


입력과 출력의 전압차가 크면 발열이 심해지고 효율이 좋지 않다.


그래서 스위칭 레귤러리에터로 전압을 줄이고 리니어 레귤러레이터로 원하는 전압으로 출력을 조절하기도 한다.



참고


http://www.rohm.co.kr/web/korea/dcdc_what4


http://www.rohm.co.kr/web/korea/dcdc_what5

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소자에는 수동소자와 능동소자가 있다.


수동소자(passive element, passive component)는 공급된 전력을 소비·축적·방출하는 소자로, 증폭 정류 등의 능동적 기능을 하지 않는 것을 말한다.


수동소자에는 RLC 등이 있으며, 출력을 예측할 수 있다.


내부적으로 식이 정해져있기 때문이다.(기본적으로 선형적인 동작을 함)


저항, 인덕터(코일), 커패시턴스(콘덴서) 등이 있다.



능동소자(active element, active component) 작은 신호(전력전압전류 중 하나)를 넣어 큰 출력 신호로 변화시킬 수 있는 전자 부품 소자이다. 입력과 출력의 비율로 이득을 얻는다.


능동소자는 올라가는 소프트웨어의 영향을 받아 출력의 예측을 하기 어렵다.



참고


https://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%8A%A5%EB%8F%99%EC%86%8C%EC%9E%90


https://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%88%98%EB%8F%99%EC%86%8C%EC%9E%90


http://blog.daum.net/_blog/BlogTypeView.do?blogid=0AyJY&articleno=17344571&_bloghome_menu=recenttext

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인터넷에서 정보를 찾아보는데 명확한 개념을 설명해놓은 곳이 거의 없었다...

그래서 직접 작성해본다.(지속적인 업데이트가 필요함)



전기는 전하가 움직이며 발생한다. 



전압은 두 점에서의 전하의 양, 즉 에너지의 차이를 말한다.


electric potential differenceelectric pressure or electric tension


조금씩 설명이 달라서 헷갈린다. 위키백과 켜자.


V or U


difference in electric potential energy between two points per unit electric charge

-> 두 점 사이의 전하 에너지의 차이


정리하자면 두 지점 사이의 electric potential의 차이이다.

(여기서 나오는 potential은 어떤 의미인걸까....)


전하 압력의 총합?



전류는 전압에 의해 발생하는 전하의 흐름이다.


전류는 이런 전하가 흐르는 속도를 말한다. (이게 맞는 설명인건가)


전류는 전압이 높은 곳에서 낮은 곳으로 흐른다.

-> 전압, 즉 전위차가 있는 곳에서만 전기가 흐른다.


차장님이 전류는 sync, 빨아들이는 개념이라고 하셨다.

소자 또는 반도체가 전하를 얼마나 먹느냐, 끌어다쓰느냐의 개념이라고 하신다.

전기적 관점과 회로에서의 관점에서의 개념이 다른걸까? (알아볼 필요가 있다)



저항은 전하가 움직이는 통로를 좁게 만들어 적은 전류가 흐르게 한다.

(이게 맞는건가)


도체를 통하게 하는 전류를 얼마나 방해하는가...


전기적 흐름을 강제로 방해하는 소자이다.


옴의 법칙도 같이 보자 (I = V / R)

http://programfrall.tistory.com/41 참고 <- 이에 대한 설명은 따로 글을 쓰자.



참고


http://blog.kepco.co.kr/374


https://en.wikipedia.org/wiki/Voltage


https://en.wikipedia.org/wiki/Electric_current


https://en.wikipedia.org/wiki/Electrical_resistance_and_conductance


https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=itismine76&logNo=50031467129&proxyReferer=https%3A%2F%2Fwww.google.co.kr%2F

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